SI7120DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7120DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Cut Tape (CT) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.3A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI7120 |
SI7120DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7120DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7120DN-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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